
SISH101DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISH101DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISH101DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISH101DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISH101DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET P-CH 30V 16.9A/35A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal P 30 V 16,9A (Ta), 35A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8SH |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISH101DN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 102 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±25V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3595 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8SH |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7,2mohms à 15A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,34000 $ | 2,34 $ |
| 10 | 1,47400 $ | 14,74 $ |
| 100 | 0,97760 $ | 97,76 $ |
| 500 | 0,76468 $ | 382,34 $ |
| 1 000 | 0,69615 $ | 696,15 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,60910 $ | 1 827,30 $ |
| 6 000 | 0,56529 $ | 3 391,74 $ |
| 9 000 | 0,54297 $ | 4 886,73 $ |
| 15 000 | 0,51791 $ | 7 768,65 $ |
| 21 000 | 0,50307 $ | 10 564,47 $ |
| 30 000 | 0,50245 $ | 15 073,50 $ |










