Name: RJK0332DPB-01#J0
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: RJK0332DPB-01#J0TR-ND
Price: 3.98 CAD
Availability: InStock

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RJK0332DPB-01#J0
Numéro de produit DigiKey	RJK0332DPB-01#J0TR-ND - Bande et bobine RJK0332DPB-01#J0CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Numéro de produit du fabricant	RJK0332DPB-01#J0
Description	MOSFET N-CH 30V 35A LFPAK
Référence client
Description détaillée	Canal N 30 V 35 A (Ta) 45W (Tc) Montage en surface LFPAK
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Renesas Electronics Corporation
Série	-
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT)
Statut du composant	Date de dernière disponibilité
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	35 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	4,7mohms à 17,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	2,5V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	14 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2180 pF @ 10 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	45W (Tc)
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	LFPAK
Boîtier	SC-100, SOT-669
Numéro de produit de base	RJK0332