
SISA12ADN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SISA12ADN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SISA12ADN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SISA12ADN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SISA12ADN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 25 A (Tc) 3,5W (Ta), 28W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SISA12ADN-T1-GE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) +20V, -16V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2070 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,5W (Ta), 28W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 10A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,49000 $ | 2,49 $ |
| 10 | 1,57900 $ | 15,79 $ |
| 100 | 1,05110 $ | 105,11 $ |
| 500 | 0,82456 $ | 412,28 $ |
| 1 000 | 0,75167 $ | 751,67 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,65908 $ | 1 977,24 $ |
| 6 000 | 0,61249 $ | 3 674,94 $ |
| 9 000 | 0,58876 $ | 5 298,84 $ |
| 15 000 | 0,56210 $ | 8 431,50 $ |
| 21 000 | 0,55135 $ | 11 578,35 $ |






