Name: SIS606BDN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIS606BDN-T1-GE3TR-ND
Price: 3.8 CAD
Availability: InStock

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SIS606BDN-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIS606BDN-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 9,4 A (Ta), 35,3 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V
Série TrenchFET® Gen IV	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1470 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 52W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9,4 A (Ta), 35,3 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® 1212-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Numéro de produit de base SIS606
Rds On (max.) à Id, Vgs 17,4mohms à 10A, 10V