
SIS606BDN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS606BDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS606BDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS606BDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS606BDN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 9.4A/35.3A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 29 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 9,4 A (Ta), 35,3 A (Tc) 3,7W (Ta), 52W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 100 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 7,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 17,4mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1470 pF @ 50 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,7W (Ta), 52W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,03000 $ | 3,03 $ |
| 10 | 1,93600 $ | 19,36 $ |
| 100 | 1,30880 $ | 130,88 $ |
| 500 | 1,04022 $ | 520,11 $ |
| 1 000 | 0,98058 $ | 980,58 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,84419 $ | 2 532,57 $ |
| 6 000 | 0,80113 $ | 4 806,78 $ |











