
SIS5712DN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIS5712DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIS5712DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIS5712DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS5712DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 33 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 150 V 5,6 A (Ta), 18 A (Tc) 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 150 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 7,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 55,5mohms à 5,6A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 4V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 500 pF @ 75 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,7W (Ta), 39,1W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,80000 $ | 2,80 $ |
| 10 | 1,78100 $ | 17,81 $ |
| 100 | 1,19940 $ | 119,94 $ |
| 500 | 0,94978 $ | 474,89 $ |
| 1 000 | 0,87796 $ | 877,96 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,76761 $ | 2 302,83 $ |
| 6 000 | 0,71729 $ | 4 303,74 $ |










