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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIS412DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIS412DN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS412DN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS412DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS412DN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | cms-lead-weeks-value |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 12 A (Tc) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS412DN-T1-GE3 cms-models |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 12 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 435 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,2W (Ta), 15,6W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® 1212-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 24mohms à 7,8A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,57000 $ | 1,57 $ |
| 10 | 0,97900 $ | 9,79 $ |
| 100 | 0,63730 $ | 63,73 $ |
| 500 | 0,49014 $ | 245,07 $ |
| 1 000 | 0,44273 $ | 442,73 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,38248 $ | 1 147,44 $ |
| 6 000 | 0,35214 $ | 2 112,84 $ |
| 9 000 | 0,33668 $ | 3 030,12 $ |
| 15 000 | 0,31931 $ | 4 789,65 $ |
| 21 000 | 0,30903 $ | 6 489,63 $ |
| 30 000 | 0,29904 $ | 8 971,20 $ |
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