
SIS128LDN-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIS128LDN-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIS128LDN-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIS128LDN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIS128LDN-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 80V 10.2A/33.7A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 10,2A (Ta), 33,7A (Tc) 3,6W (Ta), 39W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 1212-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIS128LDN-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 80 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 4,5V, 10V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 15,6mohms à 10A, 10V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 2,5V à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 30 nC @ 10 V | |
Vgs (max.) | ±20V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1250 pF @ 40 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,6W (Ta), 39W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® 1212-8 | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,04000 $ | 2,04 $ |
| 10 | 1,28900 $ | 12,89 $ |
| 100 | 0,85340 $ | 85,34 $ |
| 500 | 0,66662 $ | 333,31 $ |
| 1 000 | 0,60649 $ | 606,49 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,53010 $ | 1 590,30 $ |
| 6 000 | 0,49165 $ | 2 949,90 $ |
| 9 000 | 0,47207 $ | 4 248,63 $ |
| 15 000 | 0,46465 $ | 6 969,75 $ |











