Name: SIRS4301DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIRS4301DP-T1-GE3TR-ND
Price: 7.32 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIRS4301DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIRS4301DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIRS4301DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIRS4301DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIRS4301DP-T1-GE3
Description	P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal P 30 V 53,7A (Ta), 227A (Tc) 7,4W (Ta), 132W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIRS4301DP-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 2,3V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 255 nC @ 4.5 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 19750 pF @ 15 V
Type de FET Canal P	Dissipation de puissance (max.) 7,4W (Ta), 132W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 30 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 53,7A (Ta), 227A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base SIRS4301