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SIRA60DP-T1-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIRA60DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine
SIRA60DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
SIRA60DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant
SIRA60DP-T1-GE3
Description
MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
19 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 30 V 100 A (Tc) 57W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique
 Fiche technique
Modèles EDA/CAO
SIRA60DP-T1-GE3 Modèles
Attributs du produit
Type
Description
Tout sélectionner
Catégorie
Fabricant
Vishay Siliconix
Série
TrenchFET® Gen IV
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Statut du composant
Actif
Type de FET
Canal N
Technologies
MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)
30 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
4,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs
0,94mohms à 20A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id
2,2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
60 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
+20V, -16V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
7650 pF @ 15 V
Fonction FET
-
Dissipation de puissance (max.)
57W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
-
Qualification
-
Type de montage
Montage en surface
Boîtier fournisseur
PowerPAK® SO-8
Boîtier
PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base
SIRA60
Questions et réponses sur les produits

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0 en stock
Vérifier le délai d'approvisionnement
Demande de notification de stock
Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
Quantité Prix unitaire Prix total
13,03000 $3,03 $
101,92900 $19,29 $
1001,30400 $130,40 $
5001,03624 $518,12 $
1 0000,97602 $976,02 $
* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.
Bande et bobine
Quantité Prix unitaire Prix total
3 0000,84081 $2 522,43 $
6 0000,79740 $4 784,40 $
Conditionnement standard du fabricant
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