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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIRA12DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIRA12DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIRA12DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIRA12DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIRA12DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 25 A (Tc) 4,5W (Ta), 31W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIRA12DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) +20V, -16V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2070 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 4,5W (Ta), 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 4,3mohms à 10A, 10V |
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Documents et supports
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Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 5 553
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,39000 $ | 2,39 $ |
| 10 | 1,50500 $ | 15,05 $ |
| 100 | 0,99970 $ | 99,97 $ |
| 500 | 0,78270 $ | 391,35 $ |
| 1 000 | 0,71282 $ | 712,82 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,62411 $ | 1 872,33 $ |
| 6 000 | 0,57946 $ | 3 476,76 $ |
| 9 000 | 0,55671 $ | 5 010,39 $ |
| 15 000 | 0,53117 $ | 7 967,55 $ |
| 21 000 | 0,51708 $ | 10 858,68 $ |
