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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIRA02DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIRA02DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIRA02DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIRA02DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIRA02DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 50 A (Tc) 5W (Ta), 71,4W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIRA02DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,2V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 117 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) +20V, -16V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6150 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 71,4W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2mohms à 15A, 10V |
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 4 822
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,28000 $ | 4,28 $ |
| 10 | 2,76000 $ | 27,60 $ |
| 100 | 1,89170 $ | 189,17 $ |
| 500 | 1,52018 $ | 760,09 $ |
| 1 000 | 1,41850 $ | 1 418,50 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,24925 $ | 3 747,75 $ |
| 6 000 | 1,17303 $ | 7 038,18 $ |
| 9 000 | 1,15891 $ | 10 430,19 $ |
