Name: SIR800DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SIR800DP-T1-GE3TR-ND
Price: 3.88 CAD
Availability: InStock

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SIR800DP-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	SIR800DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR800DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR800DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR800DP-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 20 V 50 A (Tc) 5,2W (Ta), 69W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 1,5V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 133 nC @ 10 V
Série TrenchFET®	Vgs (max.) ±12V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5125 pF @ 10 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 5,2W (Ta), 69W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 20 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 50 A (Tc)	Boîtier PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 10V	Numéro de produit de base SIR800
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 15A, 10V