Name: SIR5802DP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIR5802DP-T1-RE3TR-ND
Price: 4.64 CAD
Availability: InStock

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SIR5802DP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIR5802DP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIR5802DP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIR5802DP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIR5802DP-T1-RE3
Description	N-CHANNEL 80 V (D-S) MOSFET POWE
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 80 V 33,6A (Ta), 137,5A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 20A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET® Gen V	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3020 pF @ 40 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 80 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 33,6A (Ta), 137,5A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8

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Documents et supports

Classifications environnementales et d'exportation

Ressources supplémentaires

En stock: 5 596

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Quantité

Tous les prix sont en CAD

Bande coupée (CT) & Digi-Reel®

* Toutes les commandes Digi-Reel entraînent des frais de bobinage de 9,50 $.

Bande et bobine

Quantité	Prix unitaire	Prix total
3 000	1,37132 $	4 113,96 $
6 000	1,28962 $	7 737,72 $

Conditionnement standard du fabricant

SIR5802DP-T1-RE3