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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIR470DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIR470DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SIR470DP-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SIR470DP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIR470DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 45 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 40 V 60 A (Tc) 6,25W (Ta), 104W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIR470DP-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 155 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5660 pF @ 20 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 6,25W (Ta), 104W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 40 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,3mohms à 20A, 10V |
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Documents et supports
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 26 670
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,79000 $ | 5,79 $ |
| 10 | 3,78400 $ | 37,84 $ |
| 100 | 2,63970 $ | 263,97 $ |
| 500 | 2,15072 $ | 1 075,36 $ |
| 1 000 | 2,14425 $ | 2 144,25 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,79442 $ | 5 383,26 $ |
| 6 000 | 1,75184 $ | 10 511,04 $ |
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