Name: SIJH112E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND
Price: 9.69 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIJH112E-T1-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIJH112E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIJH112E-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIJH112E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIJH112E-T1-GE3
Description	MOSFET N-CH 100V 23A/225A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 100 V 23A (Ta), 225A (Tc) 3,3W (Ta), 333W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIJH112E-T1-GE3 Modèles

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 160 nC @ 10 V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs (max.) ±20V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 8050 pF @ 50 V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 3,3W (Ta), 333W (Tc)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 100 V	Boîtier fournisseur PowerPAK® 8 x 8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 23A (Ta), 225A (Tc)	Boîtier 8-PowerTDFN
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,8mohms à 20A, 10V	Numéro de produit de base SIJH112
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA