Canal N 600 V 47 A (Tc) 379W (Tc) Trou traversant TO-247AD
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SIHW47N60EF-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHW47N60EF-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHW47N60EF-GE3
Description
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
26 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 600 V 47 A (Tc) 379W (Tc) Trou traversant TO-247AD
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
225 nC @ 10 V
Conditionnement
Tube
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
4854 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
379W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
600 V
Type de montage
Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-247AD
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
65mohms à 24A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (6)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
FCH070N60Eonsemi457FCH070N60EOS-ND13,94000 $Similaire
FCH072N60onsemi217FCH072N60-ND16,29000 $Similaire
IXFB110N60P3IXYS36238-IXFB110N60P3-ND46,99000 $Similaire
TSM60NE048PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation3001801-TSM60NE048PWC0G-ND23,92000 $Similaire
TSM60NE069PW C0GTaiwan Semiconductor Corporation2951801-TSM60NE069PWC0G-ND18,88000 $Similaire
En stock: 460
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
117,50000 $17,50 $
1012,07700 $120,77 $
4807,74463 $3 717,42 $
9607,66189 $7 355,41 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.