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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHU6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHU6N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHU6N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A IPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Trou traversant IPAK (TO-251) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur IPAK (TO-251) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,07930 $ | 3 237,90 $ |
