Name: SIHH070N60EF-T1GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHH070N60EF-T1GE3TR-ND
Price: 13.21 CAD
Availability: InStock

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SIHH070N60EF-T1GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHH070N60EF-T1GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHH070N60EF-T1GE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIHH070N60EF-T1GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHH070N60EF-T1GE3
Description	MOSFET N-CH 600V 36A PPAK 8 X 8
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	25 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 600 V 36 A (Tc) 202W (Tc) Montage en surface PowerPAK® 8 x 8
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SIHH070N60EF-T1GE3 Modèles

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	EF
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	600 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	36 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	71mohms à 15A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	75 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±30V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	2647 pF @ 100 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	202W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® 8 x 8
Boîtier	8-PowerTDFN
Numéro de produit de base	SIHH070