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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHG64N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHG64N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG64N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 64A TO247AC |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 64 A (Tc) 520W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 369 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 7497 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 520W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 47mohms à 32A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (11)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| APT60N60BCSG | Microchip Technology | 69 | APT60N60BCSG-ND | 31,22000 $ | Similaire |
| FCH040N65S3-F155 | onsemi | 873 | FCH040N65S3-F155-ND | 21,84000 $ | Similaire |
| FCH041N65F-F085 | onsemi | 282 | FCH041N65F-F085-ND | 24,12000 $ | Similaire |
| IPW60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | 1 502 | 448-IPW60R040C7XKSA1-ND | 18,62000 $ | Similaire |
| IPW60R045CPAFKSA1 | Infineon Technologies | 557 | 448-IPW60R045CPAFKSA1-ND | 27,72000 $ | Similaire |
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Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 24,12000 $ | 24,12 $ |
| 10 | 16,96200 $ | 169,62 $ |
| 100 | 12,92460 $ | 1 292,46 $ |
| 500 | 11,64684 $ | 5 823,42 $ |
