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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHG47N60E-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHG47N60E-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHG47N60E-E3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 47 A (Tc) 357W (Tc) Trou traversant TO-247AC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHG47N60E-E3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 220 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Pas pour les nouvelles conceptions | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9620 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 357W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-247AC |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 64mohms à 24A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (17)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHG47N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG47N60E-GE3-ND | 11,18000 $ | Direct |
| APT47N60BC3G | Microchip Technology | 1 | APT47N60BC3G-ND | 13,51000 $ | Similaire |
| APT53N60BC6 | Microchip Technology | 0 | APT53N60BC6-ND | 8,36214 $ | Similaire |
| FCH070N60E | onsemi | 457 | FCH070N60EOS-ND | 9,05000 $ | Similaire |
| FCH072N60 | onsemi | 217 | FCH072N60-ND | 10,58000 $ | Similaire |
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Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 17,22000 $ | 17,22 $ |
| 25 | 10,47000 $ | 261,75 $ |
| 100 | 8,86390 $ | 886,39 $ |
| 500 | 7,58020 $ | 3 790,10 $ |
| 1 000 | 7,50788 $ | 7 507,88 $ |
