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Canal N 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Trou traversant TO-247AC
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SIHG11N80E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHG11N80E-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHG11N80E-GE3
Description
MOSFET N-CH 800V 12A TO247AC
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 800 V 12 A (Tc) 179W (Tc) Trou traversant TO-247AC
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
88 nC @ 10 V
Série
Vgs (max.)
±30V
Conditionnement
Tube
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1670 pF @ 100 V
Statut du composant
Actif
Dissipation de puissance (max.)
179W (Tc)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Trou traversant
Tension drain-source (Vdss)
800 V
Boîtier fournisseur
TO-247AC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Numéro de produit de base
Rds On (max.) à Id, Vgs
440mohms à 5,5A, 10V
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (8)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
APT18M80BMicrochip Technology78APT18M80B-ND10,18000 $Similaire
IPW65R420CFDFKSA1Infineon Technologies0448-IPW65R420CFDFKSA1-ND0,00000 $Similaire
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Disponible sur commande
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Tous les prix sont en CAD
Tube
Quantité Prix unitaire Prix total
5003,49592 $1 747,96 $
Conditionnement standard du fabricant
Note : En raison des services à valeur ajoutée de DigiKey, le type de conditionnement peut varier lorsque le produit est acheté à des quantités inférieures au conditionnement standard.