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SIHFS9N60A-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHFS9N60A-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHFS9N60A-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 9.2A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 9,2 A (Tc) 170W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 49 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1400 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 170W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 750mohms à 5,5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFS9N60APBF | Vishay Siliconix | 75 | IRFS9N60APBF-ND | 7,53000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRFS9N60ATRLPBF | Vishay Siliconix | 895 | IRFS9N60ATRLPBFCT-ND | 7,53000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRFS9N60ATRRPBF | Vishay Siliconix | 800 | 742-IRFS9N60ATRRPBFCT-ND | 7,53000 $ | Équivalent paramétrique |
| IXFA10N60P | IXYS | 113 | IXFA10N60P-ND | 9,53000 $ | Similaire |
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | 176 | R6007ENJTLCT-ND | 4,44000 $ | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,63886 $ | 1 638,86 $ |
