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SIHFS11N50A-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHFS11N50A-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHFS11N50A-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 11A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 15 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 11 A (Tc) 170W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 52 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1423 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 170W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 520mohms à 6,6A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (5)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | 925 | IRFS11N50APBF-ND | 4,20000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRFS11N50ATRLP | Vishay Siliconix | 273 | IRFS11N50ATRLPCT-ND | 4,20000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRFS11N50ATRRP | Vishay Siliconix | 0 | IRFS11N50ATRRPCT-ND | 4,20000 $ | Équivalent paramétrique |
| IXFA12N50P | IXYS | 278 | IXFA12N50P-ND | 6,19000 $ | Similaire |
| IXTA15N50L2 | IXYS | 91 | IXTA15N50L2-ND | 18,17000 $ | Similaire |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,63411 $ | 1 634,11 $ |
