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SIHFR1N60ATR-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHFR1N60ATR-GE3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHFR1N60ATR-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 91 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 1,4 A (Tc) 36W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 229 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 36W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 7ohms à 840mA, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFR1N60APBF | Vishay Siliconix | 2 716 | IRFR1N60APBF-ND | 3,74000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRFR1N60ATRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRFR1N60ATRLPBFTR-ND | 1,18586 $ | Équivalent paramétrique |
| IRFR1N60ATRPBF | Vishay Siliconix | 5 457 | IRFR1N60APBFCT-ND | 3,74000 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHFR1N60A-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHFR1N60A-GE3-ND | 2,51000 $ | Équivalent paramétrique |
| RDD020N60TL | Rohm Semiconductor | 0 | RDD020N60TL-ND | 0,00000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 2 000 | 0,52502 $ | 1 050,04 $ |
| 4 000 | 0,48407 $ | 1 936,28 $ |
| 6 000 | 0,46321 $ | 2 779,26 $ |
| 10 000 | 0,43978 $ | 4 397,80 $ |
| 14 000 | 0,43122 $ | 6 037,08 $ |
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