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SIHF6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHF6N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHF6N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| STF11N65M5 | STMicroelectronics | 0 | 497-13160-ND | 4,33000 $ | Similaire |
| STF8N65M5 | STMicroelectronics | 3 | 497-11398-5-ND | 5,45000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 1,87366 $ | 1 873,66 $ |


