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SIHF5N50D-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHF5N50D-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHF5N50D-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHF5N50D-E3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 5,3 A (Tc) 30W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 325 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 30W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5ohms à 2,5A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (7)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF830PBF | Vishay Siliconix | 2 405 | IRF830PBF-ND | 4,11000 $ | Recommandation fabricant |
| TK5A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 24 | TK5A50D(STA4,Q,M)-ND | 2,96000 $ | Similaire |
| TK5A55D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 2 | TK5A55D(STA4QM)-ND | 3,19000 $ | Similaire |
| TK6A45DA(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 19 | TK6A45DA(STA4QM)-ND | 2,96000 $ | Similaire |
| TK6A50D(STA4,Q,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | 14 | TK6A50D(STA4QM)-ND | 3,16000 $ | Similaire |
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