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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHF540STRL-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHF540STRL-GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHF540STRL-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 31 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 100 V 28 A (Tc) 3,7W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 72 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±20V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 3,7W (Ta), 150W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 100 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 77mohms à 17A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRF540SPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF540SPBF-ND | 4,74000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRF540STRLPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF540STRLPBFCT-ND | 6,02000 $ | Équivalent paramétrique |
| IRF540STRRPBF | Vishay Siliconix | 0 | IRF540STRRPBFCT-ND | 6,02000 $ | Équivalent paramétrique |
| SIHF540S-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHF540S-GE3-ND | 1,09244 $ | Équivalent paramétrique |
Disponible sur commande
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 2,27449 $ | 1 819,59 $ |
