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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHF12N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHF12N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHF12N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 12A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 12 A (Tc) 33W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1224 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 33W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 380mohms à 6A, 10V | Numéro de produit de base |
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Documents et supports
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Ressources supplémentaires
En stock: 870
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,39000 $ | 5,39 $ |
| 50 | 2,69920 $ | 134,96 $ |
| 100 | 2,43790 $ | 243,79 $ |
| 500 | 1,97986 $ | 989,93 $ |
| 1 000 | 1,83268 $ | 1 832,68 $ |
| 2 000 | 1,70896 $ | 3 417,92 $ |
| 5 000 | 1,58820 $ | 7 941,00 $ |
