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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHD6N80E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHD6N80E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD6N80E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 5.4A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 5,4 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 44 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement En vrac | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 827 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 940mohms à 3A, 10V |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
En vrac
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,71000 $ | 4,71 $ |
| 10 | 3,05200 $ | 30,52 $ |
| 100 | 2,10330 $ | 210,33 $ |
| 500 | 1,69762 $ | 848,81 $ |
| 1 000 | 1,56726 $ | 1 567,26 $ |
| 3 000 | 1,40187 $ | 4 205,61 $ |
| 6 000 | 1,32254 $ | 7 935,24 $ |
