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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHD2N80AE-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | 742-SIHD2N80AE-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD2N80AE-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 2.9A DPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 2,9 A (Tc) 62,5W (Tc) Montage en surface TO-252AA |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 10.5 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 180 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 62,5W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur TO-252AA |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9ohms à 500mA, 10V |
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En stock: 1 559
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 2,90000 $ | 2,90 $ |
| 10 | 1,84200 $ | 18,42 $ |
| 100 | 1,23560 $ | 123,56 $ |
| 500 | 0,97570 $ | 487,85 $ |
| 1 000 | 0,89207 $ | 892,07 $ |
| 3 000 | 0,78592 $ | 2 357,76 $ |
| 6 000 | 0,73249 $ | 4 394,94 $ |
| 12 000 | 0,68760 $ | 8 251,20 $ |
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