
SIHD180N60E-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SIHD180N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHD180N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 19A TO252AA |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 17 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 19 A (Tc) 156W (Tc) Montage en surface DPAK |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 32 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1080 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 156W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Boîtier fournisseur DPAK |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 195mohms à 9,5A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE285CP ROG | Taiwan Semiconductor Corporation | 4 975 | 1801-TSM60NE285CPROGCT-ND | 6,13000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,36000 $ | 6,36 $ |
| 10 | 4,16600 $ | 41,66 $ |
| 100 | 2,92180 $ | 292,18 $ |
| 500 | 2,39070 $ | 1 195,35 $ |
| 1 000 | 2,22007 $ | 2 220,07 $ |
| 3 000 | 2,00366 $ | 6 010,98 $ |
| 6 000 | 1,98478 $ | 11 908,68 $ |

