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SIHB6N65E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB6N65E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB6N65E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 78W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 820 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 78W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (3)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA14N60P | IXYS | 90 | IXFA14N60P-ND | 11,01000 $ | Similaire |
| IXFA16N60P3 | IXYS | 0 | IXFA16N60P3-ND | 8,81257 $ | Similaire |
| STB11NM60T4 | STMicroelectronics | 1 444 | 497-6545-1-ND | 8,72000 $ | Similaire |
En stock: 0
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,37000 $ | 4,37 $ |
| 10 | 2,82300 $ | 28,23 $ |
| 100 | 1,93680 $ | 193,68 $ |
| 500 | 1,55800 $ | 779,00 $ |
| 1 000 | 1,43626 $ | 1 436,26 $ |
| 2 000 | 1,33388 $ | 2 667,76 $ |
| 5 000 | 1,22316 $ | 6 115,80 $ |
| 10 000 | 1,19356 $ | 11 935,60 $ |
