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SIHB18N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB18N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB18N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 18A TO263 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 18 A (Tc) 179W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 92 nC @ 10 V |
Conditionnement Tube | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 179W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 202mohms à 9A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (9)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TK20G60W,RVQ | Toshiba Semiconductor and Storage | 10 | TK20G60WRVQCT-ND | 6,93000 $ | Direct |
| FCB199N65S3 | onsemi | 578 | 488-FCB199N65S3CT-ND | 7,95000 $ | Similaire |
| IPB60R165CPATMA1 | Infineon Technologies | 5 926 | IPB60R165CPATMA1CT-ND | 7,73000 $ | Similaire |
| IXFA22N65X2 | IXYS | 4 207 | 238-IXFA22N65X2-ND | 12,04000 $ | Similaire |
| IXFA24N60X | IXYS | 0 | IXFA24N60X-ND | 4,93000 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 2,80811 $ | 2 808,11 $ |
