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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB15N60E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB15N60E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB15N60E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 15 A (Tc) 180W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 78 nC @ 10 V |
Conditionnement En vrac | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 180W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 280mohms à 8A, 10V | Numéro de produit de base |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
En vrac
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,76000 $ | 6,76 $ |
| 10 | 4,44200 $ | 44,42 $ |
| 100 | 3,12640 $ | 312,64 $ |
| 500 | 2,56506 $ | 1 282,53 $ |
| 1 000 | 2,38482 $ | 2 384,82 $ |
| 2 000 | 2,23333 $ | 4 466,66 $ |
| 5 000 | 2,15611 $ | 10 780,55 $ |
