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Canal N 500 V 14,5 A (Tc) 156W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
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Canal N 500 V 14,5 A (Tc) 156W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
TO-263-3

SIHB15N50E-GE3

Numéro de produit DigiKey
SIHB15N50E-GE3-ND
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SIHB15N50E-GE3
Description
MOSFET N-CH 500V 14.5A D2PAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant
22 semaines
Référence client
Description détaillée
Canal N 500 V 14,5 A (Tc) 156W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK)
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Fabricant
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
66 nC @ 10 V
Conditionnement
En vrac
Vgs (max.)
±30V
Statut du composant
Actif
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds
1162 pF @ 100 V
Type de FET
Dissipation de puissance (max.)
156W (Tc)
Technologies
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss)
500 V
Type de montage
Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier fournisseur
TO-263 (D2PAK)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
10V
Boîtier
Rds On (max.) à Id, Vgs
280mohms à 7,5A, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (3)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
IXFA20N50P3IXYS0IXFA20N50P3-ND5,36053 $Similaire
IXFA26N50P3IXYS0IXFA26N50P3-ND7,22850 $Similaire
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Disponible sur commande
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Conditionnement standard du fabricant