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SIHB12N50E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB12N50E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB12N50E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 10.5A D2PAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 10,5 A (Tc) 114W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50 nC @ 10 V |
Conditionnement En vrac | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 886 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 114W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 380mohms à 6A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (4)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFA16N50P | IXYS | 0 | IXFA16N50P-ND | 5,11677 $ | Similaire |
| IXFA16N50P3 | IXYS | 0 | IXFA16N50P3-ND | 5,40157 $ | Similaire |
| IXFA20N50P3 | IXYS | 0 | IXFA20N50P3-ND | 5,36053 $ | Similaire |
| IXTA16N50P | IXYS | 0 | IXTA16N50P-ND | 4,83260 $ | Similaire |
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
En vrac
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 5,13000 $ | 5,13 $ |
| 10 | 3,33000 $ | 33,30 $ |
| 100 | 2,30560 $ | 230,56 $ |
| 500 | 1,86814 $ | 934,07 $ |
| 1 000 | 1,72755 $ | 1 727,55 $ |
| 2 000 | 1,60935 $ | 3 218,70 $ |
| 5 000 | 1,48232 $ | 7 411,60 $ |
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