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SIHB12N50C-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHB12N50C-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHB12N50C-E3-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB12N50C-E3 |
Description | MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 500 V 12 A (Tc) 208W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIHB12N50C-E3 Modèles |
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Obsolète | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1375 pF @ 25 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 208W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 500 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 555mohms à 4A, 10V | Numéro de produit de base |
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Substituts (6)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFS11N50APBF | Vishay Siliconix | 925 | IRFS11N50APBF-ND | 4,20000 $ | Recommandation fabricant |
| IXFA12N50P | IXYS | 278 | IXFA12N50P-ND | 6,19000 $ | Similaire |
| IXTA12N50P | IXYS | 0 | 238-IXTA12N50P-ND | 5,92000 $ | Similaire |
| IXTA15N50L2 | IXYS | 85 | IXTA15N50L2-ND | 18,17000 $ | Similaire |
| IXTA6N50D2 | IXYS | 641 | 238-IXTA6N50D2-ND | 12,43000 $ | Similaire |
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