Équivalent paramétrique



SIHB065N60E-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIHB065N60E-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHB065N60E-T1-GE3 |
Description | N-CHANNEL 600V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 40 A (Tc) 250W (Tc) Montage en surface TO-263 (D2PAK) |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Rds On (max.) à Id, Vgs 65mohms à 16A, 10V |
Fabricant | Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA |
Série | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 74 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2700 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 250W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Montage en surface |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur TO-263 (D2PAK) |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHB065N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHB065N60E-GE3-ND | 3,65768 $ | Équivalent paramétrique |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 800 | 4,12553 $ | 3 300,42 $ |
| 1 600 | 4,02711 $ | 6 443,38 $ |
| 2 400 | 3,97783 $ | 9 546,79 $ |


