Équivalent paramétrique
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SIHA6N65E-E3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHA6N65E-E3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHA6N65E-E3 |
Description | MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 650 V 7 A (Tc) 31W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 48 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 650 V | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 600mohms à 3A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHA6N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 1 992 | 742-SIHA6N65E-GE3CT-ND | 4,57000 $ | Équivalent paramétrique |
| AOTF12N60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | 0 | AOTF12N60-ND | 1,41354 $ | Similaire |
| IPAW60R600P7SXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW60R600P7SXKSA1-ND | 1,93000 $ | Similaire |
| IPAW70R600CEXKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPAW70R600CEXKSA1-ND | 0,00000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 4,56000 $ | 4,56 $ |
| 50 | 2,25100 $ | 112,55 $ |
| 100 | 2,02660 $ | 202,66 $ |
| 500 | 1,63326 $ | 816,63 $ |
| 1 000 | 1,50684 $ | 1 506,84 $ |
| 2 000 | 1,40056 $ | 2 801,12 $ |
| 5 000 | 1,28563 $ | 6 428,15 $ |
| 10 000 | 1,26286 $ | 12 628,60 $ |





