Name: SIHA20N50E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIHA20N50E-GE3TR-ND
Price: 6.01 CAD
Availability: InStock

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SIHA20N50E-GE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIHA20N50E-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHA20N50E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT)
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIHA20N50E-GE3
Description	N-CHANNEL 500V
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	22 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 500 V 19 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Fabricant Vishay Siliconix	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 92 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT)	Vgs (max.) ±30V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1640 pF @ 100 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 34W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 500 V	Type de montage Trou traversant
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 19 A (Tc)	Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V	Boîtier Boîtier complet TO-220-3
Rds On (max.) à Id, Vgs 184mohms à 10A, 10V

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Bande et bobine

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SIHA20N50E-GE3