
SIHA15N60E-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIHA15N60E-GE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIHA15N60E-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHA15N60E-GE3 |
Description | N-CHANNEL 600V |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 22 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 600 V 15 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 76 nC @ 10 V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) | Vgs (max.) ±30V |
Statut du composant Actif | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF @ 100 V |
Type de FET | Dissipation de puissance (max.) 34W (Tc) |
Technologies | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tension drain-source (Vdss) 600 V | Type de montage Trou traversant |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Boîtier |
Rds On (max.) à Id, Vgs 280mohms à 8A, 10V |
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| TSM60NE180CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE180CITC0G-ND | 8,76000 $ | Similaire |
| TSM60NE200CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE200CITC0G-ND | 7,96000 $ | Similaire |
| TSM60NE285CIT C0G | Taiwan Semiconductor Corporation | 2 000 | 1801-TSM60NE285CITC0G-ND | 6,73000 $ | Similaire |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,16000 $ | 6,16 $ |
| 10 | 4,03800 $ | 40,38 $ |
| 100 | 2,82680 $ | 282,68 $ |
| 500 | 2,30978 $ | 1 154,89 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 000 | 2,34800 $ | 2 348,00 $ |

