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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SIHA11N80E-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SIHA11N80E-GE3-ND |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIHA11N80E-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 800V 12A TO220 |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 800 V 12 A (Tc) 34W (Tc) Trou traversant Boîtier complet TO-220 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 88 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±30V |
Conditionnement Tube | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1670 pF @ 100 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 34W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Trou traversant |
Tension drain-source (Vdss) 800 V | Boîtier fournisseur Boîtier complet TO-220 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 440mohms à 5,5A, 10V |
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En stock: 1 079
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Tube
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 7,42000 $ | 7,42 $ |
| 50 | 3,82340 $ | 191,17 $ |
| 100 | 3,47440 $ | 347,44 $ |
| 500 | 2,86310 $ | 1 431,55 $ |
| 1 000 | 2,66680 $ | 2 666,80 $ |
| 2 000 | 2,50180 $ | 5 003,60 $ |
| 5 000 | 2,45257 $ | 12 262,85 $ |
