Name: SIDR626LEP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND
Price: 7.87 CAD
Availability: InStock

L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.

SIDR626LEP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	742-SIDR626LEP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIDR626LEP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SIDR626LEP-T1-RE3
Description	N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	55 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 60 V 48,7A (Ta), 218A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Filtrer les produits similaires

Afficher les attributs vides

Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 1,5mohms à 20A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Série TrenchFET® Gen IV	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 135 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5900 pF @ 30 V
Type de FET Canal N	Dissipation de puissance (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Tension drain-source (Vdss) 60 V	Type de montage Montage en surface
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 48,7A (Ta), 218A (Tc)	Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8DC
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V	Boîtier PowerPAK® SO-8