


SIDR5802EP-T1-RE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | 742-SIDR5802EP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine 742-SIDR5802EP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) 742-SIDR5802EP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SIDR5802EP-T1-RE3 |
Description | N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 55 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 80 V 34,2A (Ta), 153A (Tc) 7,5W (Ta), 150W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8DC |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SIDR5802EP-T1-RE3 Modèles |
Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3020 pF @ 40 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 7,5W (Ta), 150W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 80 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8DC |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 7,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 2,9mohms à 20A, 10V |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 6,31000 $ | 6,31 $ |
| 10 | 4,13400 $ | 41,34 $ |
| 100 | 2,89830 $ | 289,83 $ |
| 500 | 2,40532 $ | 1 202,66 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 1,98611 $ | 5 958,33 $ |
| 6 000 | 1,96514 $ | 11 790,84 $ |











