SI7456DP-T1-E3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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Fiche technique
Canal N 100 V 5,7 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8
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SI7456DP-T1-E3

Numéro de produit DigiKey
SI7456DP-T1-E3TR-ND - Bande et bobine
SI7456DP-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT)
SI7456DP-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant
Numéro de produit du fabricant
SI7456DP-T1-E3
Description
MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Référence client
Description détaillée
Canal N 100 V 5,7 A (Ta) 1,9W (Ta) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique
 Fiche technique
Attributs du produit
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Catégorie
Rds On (max.) à Id, Vgs
25mohms à 9,3A, 10V
Fabricant
Vgs(th) (max.) à Id
4V à 250µA
Série
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs
44 nC @ 10 V
Conditionnement
Bande et bobine
Bande coupée (CT)
Digi-Reel®
Vgs (max.)
±20V
Statut du composant
Obsolète
Dissipation de puissance (max.)
1,9W (Ta)
Type de FET
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies
Type de montage
Montage en surface
Tension drain-source (Vdss)
100 V
Boîtier fournisseur
PowerPAK® SO-8
Courant - Drain continu (Id) à 25°C
Boîtier
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)
6V, 10V
Numéro de produit de base
Classifications environnementales et d'exportation
Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
Substituts (4)
Numéro de référenceFabricant Quantité disponibleNuméro de produit DigiKey Prix unitaire Type de substitution
SIR606BDP-T1-RE3Vishay Siliconix6 845SIR606BDP-T1-RE3CT-ND3,30000 $Recommandation fabricant
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Obsolète
Ce produit n'est plus fabriqué. Voir Produits de substitution.