Name: SI7434ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI7434ADP-T1-RE3TR-ND
Price: 3.93 CAD
Availability: InStock

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SI7434ADP-T1-RE3
Numéro de produit DigiKey	SI7434ADP-T1-RE3TR-ND - Bande et bobine SI7434ADP-T1-RE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI7434ADP-T1-RE3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI7434ADP-T1-RE3
Description	MOSFET N-CH 250V 3.7A/12.3A PPAK
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	33 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 250 V 3,7 A (Ta), 12,3 A (Tc) 5W (Ta), 54,3W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8
Fiche technique	Fiche technique

Attributs du produit

Type	Description	Tout sélectionner
Catégorie	Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples
Fabricant	Vishay Siliconix
Série	ThunderFET®
Conditionnement	Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®
Statut du composant	Actif
Type de FET	Canal N
Technologies	MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss)	250 V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C	3,7 A (Ta), 12,3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.)	7,5V, 10V
Rds On (max.) à Id, Vgs	150mohms à 3,7A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id	4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs	16.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)	±20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds	600 pF @ 125 V
Fonction FET	-
Dissipation de puissance (max.)	5W (Ta), 54,3W (Tc)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade	-
Qualification	-
Type de montage	Montage en surface
Boîtier fournisseur	PowerPAK® SO-8
Boîtier	PowerPAK® SO-8
Numéro de produit de base	SI7434