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SI7160DP-T1-GE3 est obsolète et n'est plus fabriqué.
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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI7160DP-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI7160DP-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI7160DP-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8 |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 20 A (Tc) 5W (Ta), 27,7W (Tc) Montage en surface PowerPAK® SO-8 |
Fiche technique | Fiche technique |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 66 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±16V |
Conditionnement Bande et bobine | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2970 pF @ 15 V |
Statut du composant Obsolète | Dissipation de puissance (max.) 5W (Ta), 27,7W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® SO-8 |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 8,7mohms à 15A, 10V |
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Substituts (8)
| Numéro de référence | Fabricant | Quantité disponible | Numéro de produit DigiKey | Prix unitaire | Type de substitution |
|---|---|---|---|---|---|
| CSD17302Q5A | Texas Instruments | 17 938 | 296-25854-1-ND | 2,74000 $ | Similaire |
| CSD17307Q5A | Texas Instruments | 4 103 | 296-25857-1-ND | 1,97000 $ | Similaire |
| CSD17322Q5A | Texas Instruments | 2 472 | 296-29018-1-ND | 2,83000 $ | Similaire |
| CSD17507Q5A | Texas Instruments | 3 210 | 296-27791-1-ND | 2,14000 $ | Similaire |
| CSD17522Q5A | Texas Instruments | 11 679 | 296-29020-1-ND | 3,13000 $ | Similaire |
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