
SI5442DU-T1-GE3 | |
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Numéro de produit DigiKey | SI5442DU-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5442DU-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5442DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI5442DU-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 20V 25A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 24 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 20 V 25 A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montage en surface PowerPAK® ChipFet simple |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI5442DU-T1-GE3 Modèles |
Type | Description | Tout sélectionner |
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Catégorie | ||
Fabricant | ||
Série | ||
Conditionnement | Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | |
Statut du composant | Actif | |
Type de FET | ||
Technologies | ||
Tension drain-source (Vdss) | 20 V | |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | ||
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) | 1,8V, 4,5V | |
Rds On (max.) à Id, Vgs | 10mohms à 8A, 4,5V | |
Vgs(th) (max.) à Id | 900mV à 250µA | |
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs | 45 nC @ 8 V | |
Vgs (max.) | ±8V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds | 1700 pF @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Dissipation de puissance (max.) | 3,1W (Ta), 31W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grade | - | |
Qualification | - | |
Type de montage | Montage en surface | |
Boîtier fournisseur | PowerPAK® ChipFet simple | |
Boîtier | ||
Numéro de produit de base |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 1,49000 $ | 1,49 $ |
| 10 | 0,92900 $ | 9,29 $ |
| 100 | 0,60560 $ | 60,56 $ |
| 500 | 0,46670 $ | 233,35 $ |
| 1 000 | 0,42194 $ | 421,94 $ |
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,36505 $ | 1 095,15 $ |
| 6 000 | 0,33641 $ | 2 018,46 $ |
| 9 000 | 0,32182 $ | 2 896,38 $ |
| 15 000 | 0,30542 $ | 4 581,30 $ |
| 21 000 | 0,29809 $ | 6 259,89 $ |






