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L'image montrée ici est une simple représentation. Consultez la fiche technique pour obtenir les spécifications exactes de ce produit.
SI5418DU-T1-GE3 | |
|---|---|
Numéro de produit DigiKey | SI5418DU-T1-GE3TR-ND - Bande et bobine SI5418DU-T1-GE3CT-ND - Bande coupée (CT) SI5418DU-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricant | |
Numéro de produit du fabricant | SI5418DU-T1-GE3 |
Description | MOSFET N-CH 30V 12A PPAK |
Délai d'approvisionnement standard du fabricant | 38 semaines |
Référence client | |
Description détaillée | Canal N 30 V 12 A (Tc) 3,1W (Ta), 31W (Tc) Montage en surface PowerPAK® ChipFET™ simple |
Fiche technique | Fiche technique |
Modèles EDA/CAO | SI5418DU-T1-GE3 Modèles |
Attributs du produit
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Catégorie | Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA |
Fabricant | Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC @ 10 V |
Série | Vgs (max.) ±20V |
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel® | Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1350 pF @ 15 V |
Statut du composant Actif | Dissipation de puissance (max.) 3,1W (Ta), 31W (Tc) |
Type de FET | Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologies | Type de montage Montage en surface |
Tension drain-source (Vdss) 30 V | Boîtier fournisseur PowerPAK® ChipFET™ simple |
Courant - Drain continu (Id) à 25°C | Boîtier |
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V | Numéro de produit de base |
Rds On (max.) à Id, Vgs 14,5mohms à 7,7A, 10V |
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Documents et supports
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Questions et réponses sur les produits
Ressources supplémentaires
En stock: 1 235
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Quantité
Tous les prix sont en CAD
Bande coupée (CT) & Digi-Reel®
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1 | 3,06000 $ | 3,06 $ |
| 10 | 1,95100 $ | 19,51 $ |
| 100 | 1,31250 $ | 131,25 $ |
| 500 | 1,03888 $ | 519,44 $ |
| 1 000 | 0,95091 $ | 950,91 $ |
Bande et bobine
| Quantité | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 3 000 | 0,83921 $ | 2 517,63 $ |
| 6 000 | 0,78301 $ | 4 698,06 $ |
| 9 000 | 0,75440 $ | 6 789,60 $ |
| 15 000 | 0,73154 $ | 10 973,10 $ |
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