Name: SI4464DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4464DY-T1-E3TR-ND
Price: 3.62 CAD
Availability: InStock

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SI4464DY-T1-E3
Numéro de produit DigiKey	SI4464DY-T1-E3TR-ND - Bande et bobine SI4464DY-T1-E3CT-ND - Bande coupée (CT) SI4464DY-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricant	Vishay Siliconix
Numéro de produit du fabricant	SI4464DY-T1-E3
Description	MOSFET N-CH 200V 1.7A 8SO
Délai d'approvisionnement standard du fabricant	38 semaines
Référence client
Description détaillée	Canal N 200 V 1,7 A (Ta) 1,5W (Ta) Montage en surface 8-SOIC
Fiche technique	Fiche technique
Modèles EDA/CAO	SI4464DY-T1-E3 Modèles

Attributs du produit

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Catégorie Produits semi-conducteurs discrets Transistors FET, MOSFET FET, MOSFET simples	Rds On (max.) à Id, Vgs 240mohms à 2,2A, 10V
Fabricant Vishay Siliconix	Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Série TrenchFET®	Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 18 nC @ 10 V
Conditionnement Bande et bobine Bande coupée (CT) Digi-Reel®	Vgs (max.) ±20V
Statut du composant Actif	Dissipation de puissance (max.) 1,5W (Ta)
Type de FET Canal N	Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologies MOSFET (oxyde métallique)	Type de montage Montage en surface
Tension drain-source (Vdss) 200 V	Boîtier fournisseur 8-SOIC
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 1,7 A (Ta)	Boîtier 8-SOIC (szerokość 0,154po, 3,90mm)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 6V, 10V	Numéro de produit de base SI4464